Antystatyczny napisał(a):
A ja bym sie od razu zapytał jaki związek ma wydajność prądowa pinu procka ze sterowaniem tranzystorów sterowanych napięciem, a nie prądem. No ale ja to ja. Odnoszę wrażenie, że Janeczqu sie przejęzyczył. Byc może się mylę, albo cos przeoczyłem ze zmęczenia
Nie, nie przejęzyczyłem się
![Puszcza oko ;)](https://forum.atnel.pl/images/smilies/icon_e_wink.gif)
wejście takiego tranzystora stanowi pewną pojemność- mimo że tranzystory są "sterowane" napięciowo aby ograniczyć straty do minimum, staramy się w jak najkrótszym czasie przeładować. Dlatego stosuje się scalone drivery lub układy tranzystorowe aby prąd ładujący/rozładowujący pojemność GS był jak największy. Duży prąd = krótki czas przełączania = małe straty.
Lemosek napisał(a):
Witam, dokładnie jak kolega janeczqu pisze, aby przełączyć mosfeta potrzebny jest prąd na przeładowanie bramki a tu masz ich kilka równolegle. Dodatkowo koniecznie rezystory emiterowe np. 0,2.
rezystor emiterowy? A masz emiter w tym tranzystorze?
![Pokazuje język :P](https://forum.atnel.pl/images/smilies/icon_razz.gif)
Rezystory emiterowe stosuje się w układach z tranzystorami bipolarnymi - przyczyną jest spadek Uce przy wzroście temperatury- powoduje to zwiększenie prądu przez dany tranzystor i lawinowe uszkodzenia
![Puszcza oko ;)](https://forum.atnel.pl/images/smilies/icon_e_wink.gif)
Przy unipolarnych w raz ze wzrostem temperatury rośnie rezystancja kanału- więc tranzystor niejako "sam sobie" ograniczy prąd. (dotyczy pracy równoległej)