Wirnick napisał(a):
Poligon GND przez utworzoną pojemność do VCC jest uzupełnieniem pojemności zastosowanych, ale dla pamięci(wydaje mi się) destrukcyjnym.
Czyli wynikałoby z tego, że korzystniej jednak zastosować polygon VCC albo zrezygnować z niego w ogóle?
Zgodnie z sugestią przestudiowałem pobieżnie gerbery jakie dostarcza ST dla discovery i mam kilka ciekawych spostrzeżeń (tak mi się przynajmniej wydaje):
- są tam dość duże odległości kondensatorów filtrujących od nóżek uC. Zmierzyłam i jest to zawsze około 40 mil. U mnie nie przekraczają 30 mil
- bezpośrednio pod procesorem nie ma żadnej wylewki (ewentualnie trochę GND):
![Obrazek](https://obrazkiforum.atnel.pl/thumb/3743/63f73be68d1c37ca93049927eb71ea50.png)
- duży polygon VCC znajduje się za to na warstwie wewnętrznej (PCB jest czterowarstwowe). W zasadzie pod całym uC:
![Obrazek](https://obrazkiforum.atnel.pl/thumb/3743/caee244c8175e0b73d71ee99e732851d.png)
Reasumując, najlepiej byłoby przejść w moim przypadku z VCC od razu od nóżki na warstwę BOTTOM i tam prowadzić VCC. Nie będę się jednak tak bawił na razie. Generalnie stwierdzam, że z moją płytką nie jest aż tak źle
![Bardzo szczęśliwy :D](https://forum.atnel.pl/images/smilies/icon_e_biggrin.gif)