To że na złączu BE (baza - emiter), aby było poprawnie spolaryzowane do przewodzenia, musi być napięcie min. ~0.7V to jest chyba dla Ciebie znane.
Minimalne napięcie na złączu CE (kolektor - emiter) masz w datasheetcie. Zależy on bardzo od prądu, a użyta wartość 0.1V była poglądowa (nie sprawdzałem tego w datashecie dla twojego tranzystora). Ale teraz patrząc masz nawet przy Ic = 0.8A, przy nasyceniu tranzystora, mniejszy spadek na CE.
Więc nawet jak dasz na bazę bezpośrednio do VCC, to na emiterze masz VCC - 0.7V a więc na złączu CE także musi być taki spadek napięcie. A przecież dajesz jeszcze na bazie rezystor obniżający jej potencjał. Więc masz jeszcze niższy potencjał bazy i przy okazji emitera.
A spadek napięcia na złączu CE przekłada się na traconą moc (P = UI). Dlatego im większy prąd i spadek napięci na złączu CE tym większa moc tracona w tranzystorze i zwiększenie efektu cieplarnianego.
--
Pozdrawiam,
Robert
------------------------ [ Dodano po: 8 minutach ]Jak widzisz bardzo nieefektywne pod względem traconej na nim mocy jest trzymanie tranzystora w puncie pracy między nasyceniem a zatkaniem. Dlatego jak chce się sterować mocą to robi się to PWMem - raz nasycasz tranzystor a raz zatykasz i tak kilkaset / kilka tysięcy razy na sekundę.