Witajcie.
Zmontowałem układ jak na schemacie:


Tranzystor IRF630N, Rds=0,3 ohm, Gate threshhold max = 4V. Tutaj datasheet: karta katalogowa
Wszystko zasilane z zasilacza ATX.
W momencie, gdy na bramkę (sterowanie) podaję 12V, spadek napięcia na tranzystorze wynosi około 1.2V (czyli by się zgadzało, bo Rds * I = 0,3 *4 = 1,2 [V]).
Natomiast, gdy na bramkę (sterowanie) podaję 5V, spadek napięcie na tranzystorze wynosi około 5.5V ! (tutaj brak mi sensownych obliczeń). Tranzystor okropnie się grzeje, natężenie prądu na odbiorniku gwałtownie spada.

Pomóżcie mi zdiagnozować, dlaczego tak się dzieje. Brakuje mi jakichś wiadomości o tranzystorach mosfet, nie doczytałem czegoś w karcie katalogowej, czy może jakiś błąd w połączeniu / sterowaniu ?

Krzysiek.

Tranzystor IRF630 potrzebuje większego napięcia na bramce, by się całkowicie otworzył. Potrzebujesz innego tranzystora.
http://forum.atnel.pl/topic12972.html

Skoro karta katalogowa mówi tak: VGS(th)Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V VDS = VGS, ID = 250μA

Czyli przy 4V powinien być całkowicie otwarty

Edit: No tak - napisali, że te 4V jest wystarczające, ale tylko w momencie, gdy Vds = Vgs, a u mnie Vds jest sporo wyższe ...

Zastosuj mosfeta np IRL540 i powinno być ok.

Ewentualnie zbuduj inverter na pojedynczym tranzystorze NPN i z kolektora daj sygnał na bramkę. Wtedy stanem wysokim wyłączasz MOSFETa a stanem niskim załączasz