Jak w temacie - potrzebuję układ, który zastąpi mi przekaźnik, czyli tranzystor sterujący albo w pełni przewodzi, albo jest zatkany.
Trochę szukałem, ale pojawiają się nieścisłości i te układy nie do końca mi odpowiadają:


rys.1


rys.2


rys.3

Wolałbym rozwiązanie bez bipolarnego z użyciem tranzystora, którym można sterować bezpośrednio z pinu uP np jak popularny IRL540. Jaki tranzystor z popularnych i tanich wybrać? Układ zwierający do masy mnie nie interesuje (to wiem jak podłączyć) ... musi sterować plusem 12V obciążalność około 2A, a masa odbiornika podpięta na stałe.

_________________
Wysłane z nowego ATB 1.05beta + ATB ETHERNET

Wspomniany przez NIEBO! IRL540 jest właśnie LogicLevel ale chyba problemem jest aplikacja takiego tranzystora, który podawałby "+" a nie masę. Do tego potrzebny jest P-MOSFET nie N-MOSFET. Mi szukajka wyrzuciła np. taki NTD25P03L dostępny w TME

_________________
sig off ;(

To ma byc pojedyncze urządzenie więc chyba zaprzęgnę jednak bipolarną pchełkę w parze ze zwykłym MOSFET-P, a nie LOGIC. Również częstotliwość będzie rzędu max kilku mHz (czyt. mili!) więc żadne mi wielkie rzeczy ... zależy mi tylko, aby uzyskać maksymalne otwarcie i maksymalne zatkanie i mieć małą Rwew a co za tym idzie małe straty cieplne... mieć coś na kształt przekaźnika - żeby się mosfecik nie grzał przy 2A.

Zatem czy schematy przedstawione powyżej są poprawne... ? Oczywiście BUZ11 jest typu N więc to już wiem że źle.

------------------------ [ Dodano po: 56 minutach ]

Chyba znalazłem ... ktoś potwierdzi poprawność?

_________________
Wysłane z nowego ATB 1.05beta + ATB ETHERNET

Zaprzęgnę eagla i narysuję coś swojego wg Twoich sugestii ( DZIEKUJĘ squeez ) - rzeczywiście i moim zdaniem te R1 i R2 na ostatnim rys są za duże ... może ktoś jeszcze coś podpowie?

No to już wiem że w użyciu będzie:
BC847B i IRF9530NPBF bo takie mam pod ręką

No i powstał taki oto potworek gdzie NAVI jest portem ATmegi:




Wszystko OK? Będzie to działać wg założeń?

_________________
Wysłane z nowego ATB 1.05beta + ATB ETHERNET

R9 możesz zmienić na 100om i równolegle z nim dać kondensator 100-220pF.

PS. może być i 47om, dobrze jest połączyć równolegle z pikiem . Gdzieś bodajże w Sztuce Elektroniki o tym pisało, chodzi o polepszenie szybkości przełączania. Robisz jak by dzielnik pojemnościowy (błędna nazwa pewnie) z pojemnością bramki, powoduje to lepsze przeładowanie pojemności, szczegółów szukaj w w/w książce.

Dzięki reza R9 rzeczywiście zmienię na 47R, ale C dawać nie będę, bo to będzie zmieniało stan co najwyżej kilka razy na dzień, więc szybkość przełączania jest dla mnie marginalnym parametrem w tym przypadku Ale oczywiście dobrze że o tym wspomniałeś - przyda się na przyszłość Może w tym tygodniu będę już trawił płytkę z tym na pokładzie, także wszelkie wskazówki nadal mile widziane

_________________
Wysłane z nowego ATB 1.05beta + ATB ETHERNET

Ale tu nie chodzi o szybkość przełączeń w czasie , tylko jak szybko jest włączany mosfet, a coś wspominałeś o niskich stratach tu o to chodzi .

Jak nie wziąłes z czata to masz tu http://www.ti.com/lit/ml/slup169/slup169.pdf moze sie przydac.

A to nie jest to samo? Co to dla mnie (dla niego) za różnica czy włączenie zajmie mu 1us czy 10ms jak potem przez np milion razy dłuższy czas jego stan nie zostanie zmieniony ... ja rozumiem, że to ma olbrzymie znaczenie gdy pracuje w przetwornicy albo w nadajniku i przełączany jest milion razy na sekundę. Chyba że czegoś rzeczywiście nie rozumiem

_________________
Wysłane z nowego ATB 1.05beta + ATB ETHERNET

No ma i to ogromne , dla strat na tranzystorze.
Przecież w uproszczeniu mosfet to nic innego jak sterowana napięciowo rezystancja ( w dużym uproszczeniu ), czyli zakładając że tranzystor włącza ( i wyłącza ) się np. 1ms, a 100us, to masz SR czyli prędkość narastania/opadania napięcia 10krotnie większą, a przez to krótszy czas włączania (przejścia) tranzystora, a co za tym idzie, sam czas potrzebny do przejścia od stanu nieprzewodzenia do pełnego przewodzenia jest krótszy, a przez to straty na tranzystorze w momencie włączenia będą mniejsze .
Czyli nawet jak załączasz rzadko, możesz zastosować mniejszy radiator, bo bezwładność temperaturowa samej obudowy tranzystora wystarczy.
Trochę się rozpisałem , ale ogólnie chodzi o to, że jednym małym pikiem rozwiązujesz problem grzania się tranzystora.
Oczywiście wszystko kwestia wyliczenia, a najłatwiej było by zobaczyć to na oscyloskopie.

W EdW był też artykuł na temat mosfetów w kursie o tranzystorach i też tam bodajże było o tym, niby nic, a potem jest zdziwienie, że przecież mosfet to miał wytrzymywać tyle amper, a zjarał się .

Biorąc pod uwagę dotychczasowe sugestie, dochodzimy do czegoś takiego:

_________________
Wysłane z nowego ATB 1.05beta + ATB ETHERNET

Jak by kto szukał to strona 479 "sztuka elektroniki tom2" Technika szybkich przełączeń.
A na stronie 481, wzory jak obliczyć czasy .

temat co prawda stary, ale akurat dla mnie trafny gdyż chciałem wykorzystać dokładnie te układ. Moje pytanie jednak jest następujące. Jakbyście rozwiązali następujący problem

Zamierzam ten układ użyć do włączania zasilania samego mikrokontrolera (poprzez microswitch, itp), a następnie programowo mikrokontroler od razu po starcie podawałby stan wysoki na jeden pin który podtrzymywał by włączony MOSFET, a tym samym układ byłby zasilany. W programie była by np procedurka odczytu stanu jednego pinu, gdzie podawany byłby również stan tego samego włącznika który włącza układ.

Najprostsze było by podpięcie włącznika pod +5V i poprzez diody separujące podać jego sygnał wyjściowy do jednego pinu mikrokontrolera (sprawdzanie naciśnięcia) oraz na rezystor R7 (sygnał NAVI, do włączania całego układu).

Problem w tym że stabilizator 5V będzie dopiero za mosfetem, więc muszę to rozwiązać mając tylko 12V do dyspozycji. Mógłbym podawać masę na R9, tym samym wysterowywując Q2, lecz wtedy podpinając ten sam sygnał spaliłbym pewnie port mikrokontrolera gdyż w stanie spoczynku przez rezystor R8 dostało by się 12V na pin badający stan włącznika.

Niestety mam do dyspozycji przełącznik monostabilny z tylko jednym stykiem zwiernym...

Jakieś pomysły?

Ten kondensator to się stosuje przy bipolarach aby się szybciej wyłączały, ale nie przy mosfetach. I o jakiej redukcji start my tu mówimy, tutaj tranzystor się szybko wyłączy, ale za to będzie się długo włączać przez R8. Zamiast niego dałbym 2k czy nawet 1k jak było kilka postów wcześniej. On i tak przewodzi tylko w czasie załączenia tranzystora więc te kilka mA możemy odżałować.
W dodatku daje on nam dużo większą odporność na zakłócenia, gdzie przy silnie sięjącym otoczeniu ten mosfet mógłby się nawet sam załączyć. I dałbym go od razu bezpośrednio pomiędzy bramkę a źródło, zazwyczaj ułatwia to połączenia na jednostronnym pcb.

_________________
sig off ;(

to o co pytałem jest na schemacie. Czy mogę użyć mosfeta do takiego włączania całości układu? Proszę o sprostowanie jeśli zrobiłem jakieś błędy. Zasada działania jest następująca:

1. W chwili spoczynku układ nie powinien pobierać nic.
2. Po naciśnięciu przycisku podłączonego na złącze ON/OFF SWITCH, sygnałem masy uruchamiam cały układ (MOSFET zaczyna przewodzić)
3. Mikrokontroler zaraz po starcie podaje stan wysoki na PB5 przez co po puszczeniu klawisza MOSFET dalej przewodzi
4. W programie mikrokontrolera zapisany jest odczyt PB3 i gdy ten wykryje naciśnięcie przycisku, stan portu PB5 zmienia się na niski, przez co cały układ wyłącza się nie pobierając prądu.

Układ ma być włącznikiem do samochodowego carPC, dlatego ważne jest mi zaprojektowanie takiego wyłącznika który w chwili gdy komputer jest wyłączony, nie pobiera albo nic, albo znikomy prąd.

Złącze 5V MB to sygnał z płyty głównej przez który włącznik wykrywa poprawne uruchomienie płyty głównej (np 5V ze złącza USB). Złącze MB będzie podłączone w miejscu normalnego włącznika płyty głównej.

Czy schemat układu jest poprawny?

MOSFET to chyba nie tak powinien być podłączony ...

--
Pozdrawiam,
Robert

a no racja, to z pośpiechu Oczywiście D i S mają być na odwrót