FLASH EPROM, czyli pamięć błyskowa, zawdzięcza swą nazwę sposobowi kasowania zawartości. Pamięć jest zorganizowana w postaci bloków, z których każdy kasowany jest w pojedynczej krótkotrwałej operacji, porównywalnej do błysku (ang."flash"). Kasowanie dokonuje się w ten sposób, że dzięki efektowi tunelowemu Fowlera-Nordheima elektrony przenikają bardzo cienką warstwę dielektryka, zbierając ładunek z nie podłączonej galwanicznie bramki sterującej każdej z komórek. Stosowanie pamięci FLASH jest obecnie najbardziej popularnym sposobem nieulotnego przechowywania danych. W zwykłej pamięci FLASH w jednej komórce składowany jest 1 bit
informacji. Stan naładowania komórki wskazuje, czy wpisane jest "0", czy "1". W nowoczesnych typach dużych pamięci FLASH do przechowywania informacji używa się kilku poziomów naładowania komórki. Przy wykorzystaniu czterech poziomów naładowania można w każdej komórce zapisać dane dotyczące dwóch bitów informacji. Ta "wielopoziomowa" technologia stosowana jest w pamięciach FLASH o pojemnościach 512 Mb lub wyższych.
taką definicje pamięci flash znajdziemy w katalogu Elfy
![Puszcza oko ;)](https://forum.atnel.pl/images/smilies/icon_e_wink.gif)