Witam

Mam pytanie jak w temacie, czy potrzebne są diody za mosfetami,
sourse jest z jednego źródła po stabilizatorach,
na wyjściu mosfetów chce mieć takie zasilanie jak na wejściu mosfeta
ma to być zasilanie układu według potrzeby albo 5V albo 3.3V

Mosfet to AO3401A

tak wiem o spadku napięcia na diodach.

schemat

.

Zapomniałem dodać Uc zasilane 3.3V

Mosfetow jeszcze nie posiadam więc nie mam jak sprawdzić organoleptycznie.

.

1) Zobacz jaki potencjał powinien się pojawić na bramce P-MOS względem źródła (zasilania) żeby się otworzył i czy aby 3.3V na bramce wystarczy przy 5V na źródle; do tego jeśli dasz zbyt mały rezystor R2 masz szanse uszkodzić nogę mikrokontrolera.

2) Skoro uwzględniłeś spadki napięć to myślę, że da się zrezygnować z diody D1, jak otworzysz Q1 (albo i nie z uwagi na napięcie na bramce) to prąd popłynie z zasilania +5V przez Q1 do wyjścia OUT, D2 zablokuje przepływ do Q2. Jak otworzysz Q2 prąd popłynie z +3.3V przez Q2 przez D2, dioda w Q1 będzie spolaryzowana zaporowo ponieważ Us = +5, Ud = +3.3V, więc Us > Ud i "nic" nie popłynie do +5V.
W taki przypadku na wyjściu będziesz miał napięcia +4.3V i +3.3V, jeśli zależało Ci na spadku napięcia w D1 to dioda może tam być.
Jak dasz diody Shotky to możesz osiągnąć coś w granicach +4.6V i 3.3V.

Sam schemat jest poglądowy i wartości R1, R2 będą dobierane prądowo myślę ze max 3mA ze względu na wydajność Uc całościowo

szczerze mówiąc to chętnie pozbyłbym się tych diod, czy to możliwe aby obu?

a to nie jest tak ze podając 0V na Gate mosfet się otworzy?
Maximum Gate Source Voltage -12 V, +12 V

R1 i R2 są podpięte do źródła co stanowi S = G i tranzystor powinien być zatkany,
Uc musi doprowadzić stan 0Vdc na Gate i musi wytrzymać prąd ograniczony przez Rx

jeśli się mylę proszę mnie poprawić




.

Masz racje w kwestii P-MOS, to bipolarnego PNP byś nie mógł przełączać, chyba non stop by przewodził - mój błąd, przepraszam.

W kwestii usunięcia drugiej diody to można wykombinować układ na tranzystorach albo przy 3.3V połączyć 3 P-MOS szeregowo, wtedy spadek napięcia na pasożytniczych diodach wyniesie sumarycznie 2.1V, czyli 2.1 + 3.3V = 5.4V więc "nic" tam nie popłynie bo 5.4V > 5V.
Jest to rozwiązanie wyjątkowo idiotyczne moim zdaniem ale przed śniadaniem jeszcze nie zacząłem myśleć , z pewnością można wykombinować jakiś normalny układ.

P-mosfet Q1 (dla 5V na źródle) żeby nie przewodził na bramce potrzebuje 5V. Przy zasilaniu uC 3,3V będzie cały czas otwarty w jakimś stopniu niezależnie czy na pinie PC0 będzie 0V (Ugs= -5V) czy 3,3V (Ugs = -1,7V) dlatego że wyjście nie jest typu OC. Trzeba by dodać dodatkowy tranzystor N-mosfet/NPN do sterowania bramką Q1.

Ale bramka Q1 podpięta jest do 5V rezystorem i stan będzie 5V na bramce, Uc toleruje 5V, a że wyjście dam 3.3V hmm nie będzie prąd "przeciskał" się do Uc bo ma niższe napięcie? choć jak już to ten prąd ograniczony będzie rezystorem, hmm, miejsce na płytce się kończy

Stan 5V na bramce Q1 (mierząc względem GND) byłby wtedy kiedy wyjście pinu PC0 było by typu Open Collector. Wtedy na wyjściu były by dwa stany, zwarcie do GND (napięcie na rezystorze 5V) lub Hi-Z (napięcie na rezystorze 0V). Jednak pin kiedy skonfigurowany jest jako wyjście zachowuje się jak wyjście typu Push-Pull, co oznacza że na wyjściu pinu są dwa stany, "zwarcie" do GND lub VCC( 3,3V). Wtedy w przypadku ustawienia stanu niskiego, na rezystorze odłoży się całe napięcie 5V, a w przypadku stanu wysokiego 5V - 3,3V = 1,7V (tak, prąd będzie płynął do pinu, bo ma niższy potencjał). Wyjście typu OC można by zasymulować ustawiając pin w stan Hi-Z, czyli ustawiając pin jako wEjście bez wewnętrznego pull-up ale wtedy maksymalne napięcie na zewnętrznym rezystorze ograniczają diody zabezpieczające pin. W przypadku zasilania 3,3V bedzie to ok 3,3V + 0,6V = ~3,9V. Dlatego przy zailsaniu uC(AVR) napięciem niższym niż napięcie na źródle tranzystora Q1 potrzeba dodatkowego sterownika bramki (pojednyczy tranzystor typu N lub driver w przypadku bardziej wymagających aplikacji).