Witam,

Muszę wysterować za pomocą mikrokontrolera tranzystor MOSFET, który będzie sterował napięciem 12 V. Prąd drenu nie przekroczy 3.5 A. Dodam, że mikrokontroler zasilany jest z 3.3 V.

Od rana próbuję dobrać odpowiedni tranzystor i nic. Przetestowałem już IRFL44N oraz BUZ11 (takie miałem w domu), które powinny teoretycznie działać przy napięciu 3.3 V. Widać jednak, że się nie otwierają do końca przez co strasznie się grzeją.

I tutaj moje pytanie. Szukam MOSFETa, który mógłbym sterować bezpośrednio z portu AVR (3.3 V) i mógłby on załączać napięcie 12 V, a prąd nie przekraczałby 3.5 A. Niby znalazłem w internecie takie trzy:

- IRF7311
- IRLL2705
- IRLZ34N

Jednak zależy mi na opinii kogoś kto używał czegoś podobnego i potwierdzi, że tranzystor nie będzie się grzał.

Witam,
post102576.html#p102576
Pozdrawiam

Dziękuje za nakierowanie. W takim razie będę testował tego IRLML2502. Zobaczymy czy da radę.

Niestety, IRLML2502 strasznie się grzeje przy prądzie 3 A. Do tego stopnia, że się rozlutowuje Od początku nie podobałą mi się ta obudowa. Czy naprawdę nie ma MOSFETA w obudowie TO220, który dobrze pracuję przy 3 V?

Testuję sobie jeszcze IRFZ34N i tutaj jest ok przy napięciu 5 V, ale to mnie jeszcze nie zadowala. Ech, chyba będzie trzeba wysterować MOSFETa tranzystorem bipolarnym. Tylko, że to mi niepotrzebnie komplikuje cały schemat.

Kolego a sprawdziłeś chociaż parametry tego tranzystora w nocie? Nie chcę się czepiać, ale najlepszym źródłem informacji są noty katalogowe. Problem w tym że nie wiemy nawet co i w jaki sposób chcesz sterować tym tranzystorkiem.
Pomyśl sobie, że jeżeli chcesz przepuścić przez tranzystor 3A prądu ciągłego przy napięciu 12V to przez ten tranzystor popłynie moc 36W... Sprawdziłeś jaką moc może rozproszyć ten tranzystor i przy jakiej temperaturze? Inaczej będzie jeżeli prąd nie jest ciągły i płynie tylko w impulsie, ale wtedy istotny jest charakter obciążenia, to znaczy czy jest to obciążenie indukcyjne czy tylko rezystancja. Przy obciążeniu oporowym nie ma wielkiego problemu, po prostu zwyczajne "przepychanie elektronów" przez obciążenie, ale jeżeli jest to indukcyjność (jak cewki silnika czy elektromagnesu) no to pojawiają dodatkowe zjawiska które zmuszają konstruktora do wyboru tranzystora i znacznie wyższym napięciu złącza... Można też po prostu eksperymentować i uczyć się na obserwacji uzyskanych efektów, tak jak w Twoim przypadku, nadmiernego grzania się tego malutkiego mosfeciątka

_________________
SP2LUB - LA1BUA

To chyba nie tak. Na tranzystorze nie odkłada się takie napięcie. Jeśli jest w pełni otwarty, to moc na nim to I*I*rds(on). Czyli niewiele, dla IRLML2502 rds(on) to 0.045 oma. Czyli dla 3A, moc na tranzystorze to tylko 0,405 W
Co do pozostałej części, nie mam zastrzeżeń Widocznie nie jest w pełni otwarty. Miałem podobny problem. Pokaż jeszcze, w jaki sposób podłączasz tranzystor do obciążenia. W przypadku MOSFETów ma to olbrzymie znaczenie.

EDIT:
rds(on) wynosi 0,045 oma, ale dla Vgs = 4,5V
Dla Vgs = 2.5V i prądu Id = 3.6A, rds(on) wynosi 0.08 oma. Co dalej daje poniżej 1 W mocy

Już spieszę z wyjaśnieniami Ależ wybór MOSFETA rozpocząłem właśnie od analizy not katalogowych. I dzięki podobnym obliczeniom jakie przedstawił kolega Marhef doszedłem do tego, że IRLML2502 powinien spełnić swoją rolę. Jednak praktyka rozminęła się z teorią.

Mam świadomość, że tranzystor grzeje się przez to, że się nie w pełni otwiera, dlatego całą dyskusję rozpocząłem od tego czy ktoś może polecić taki, który się otworzy w całości już przy napięciu 3.3 V. I mam tu na myśli polecenie z własnego doświadczenia bo mam wrażenie, że producenci w notach katalogowych troszkę naciągają parametry.

No i faktycznie nie napisałem czym chcę sterować. Otóż ma to być ogniwo Peltiera (12 V, 3.5 A). A tranzystor podłączam w podobny sposób jak tutaj:

http://www.electronics-tutorials.ws/tra ... gif?x98918

Z tym, że nie używam diody równolegle do obciążenia. Rezystor między Vin i bramką to u mnie 220 ohm, a Rgs ma wartość 100 k.

A w jaki sposób sterujesz? Bo może tu jest problem. Poza tym wydaje mi się, że masz za duże rezystory. Dałbym 100 omów i 10 k.
Używałem ten tranzystor, nie było z nim problemu przy prądzie ponad 2.5A

Steruję podając na bramkę 3.3 V. Obniżę wartości rezystorów i jutro zrobię testy.

Chodziło mi o to, czy załączasz tranzystor na stałe, czy może sterujesz PWMem.
Jak będziesz robił testy, zmierz napięcie Vgs, zmierz też Vds, może się przydać

Na razie załączam na stałe bo wiem z doświadczenia, że przy PWMie (szczególnie o dużej częstotliwości) dzieją się różne rzeczy z MOSFETami.

Po dzisiejszych testach tranzystora IRLML2502 oraz IRF7455 dałem za wygraną. Po prostu tranzystory w obudowach smd się u mnie palą i nie pomaga nic.

Poddałem się i powracając do IRFZ34N, na szybko zmontowałem taki układ z dwoma tranzystorami:



Tutaj wszystko działa bez problemu i oba tranzystory są zimniutkie Jedynym minusem jest odwrócona logika, ale to nie jest dla mnie problemem. Proszę jednak o uwagi czy coś poprawić na tym schemacie.

Po tych wszystkich bojach muszę powiedzieć, że cały czas mi się nie podobają te obudowy smd dla tranzystorów MOSFET i to tutaj upatruję problemów z odprowadzeniem ciepła.

Jako, że w weekend się jeszcze pobawiłem tymi wszystkimi tranzystorami, które posiadam, poniżej zamieszczę moje krótkie podsumowanie i kilka obserwacji, może komuś się przyda w przyszłości.

Zrobiłem sobie na szybko poniższą płytkę:



Mogę na niej przetestować następujące konfigurację:

- tranzystor IRFZ34N załączany z BC547
- tranzystor IRFZ34N załączany z transoptora PC817
- tranzystory w obudowach smd: IRLML2502 oraz IRF7455

Sygnał sterujący zawsze wynosił 3.3 V. Sterowałem napięciem 12 V, a przez ogniwo Peltiera płynęło maksymalnie 3.5 A. Pierwsze dwa rozwiązania działają bez zarzutu (tranzystory nawet nie robią się ciepłe). Natomiast co do tranzystorów smd to IRLML2502 nadal się u mnie pali, a IRF7455 ewentualnie mógłby zdać egzamin. Co prawda jest wrzący podczas pracy, ale chociaż nie dymi

Gdyby ktoś koniecznie chciał zastosować sam tranzystor unipolarny to IRF7455 może się nadać przy prądach do 3.5 A. Ja jednak chyba zdecyduję się na wariant z transoptorem bo po dłuższych przemyśleniach taka izolacja galwaniczna może być dla mnie korzystna. Dziś robiłem testy ze sterowaniem tego układu z PWM i mam tutaj krótkie pytanie żeby nie tworzyć nowego tematu. Otóż czy sterowanie PWM nie zrobi krzywdy ogniwu Peltiera. Innymi słowy czy takie ogniwa radzą sobie z pracą impulsową?