<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xml:lang="pl-pl">
<link rel="self" type="application/atom+xml" href="https://forum.atnel.pl/feed.php?f=58&amp;t=8452&amp;mode" />

<title>ATNEL tech-forum</title>
<link href="https://forum.atnel.pl/index.php" />
<updated>2014-09-09T09:10:57+01:00</updated>

<author><name><![CDATA[ATNEL tech-forum]]></name></author>
<id>https://forum.atnel.pl/feed.php?f=58&amp;t=8452&amp;mode</id>
<entry>
<author><name><![CDATA[SylwekK]]></name></author>
<updated>2014-09-09T09:10:57+01:00</updated>
<published>2014-09-09T09:10:57+01:00</published>
<id>https://forum.atnel.pl/viewtopic.php?t=8452&amp;p=94774#p94774</id>
<link href="https://forum.atnel.pl/viewtopic.php?t=8452&amp;p=94774#p94774"/>
<title type="html"><![CDATA[Re: totem pole - sterowanie MOSFETa poprzez PWM]]></title>

<content type="html" xml:base="https://forum.atnel.pl/viewtopic.php?t=8452&amp;p=94774#p94774"><![CDATA[
Jaka częstotliwość pwm (do silnika spokojnie wystarczy nawet poniżej 500Hz)? Jakie obciążenie? Może w tym wypadku wystarczy Ci zwykły mosfet logic level podłączony tylko przez rezystor 50om bezpośrednio do portu. Taki RFD3055 otwiera się w pełni, o ile pamiętam, poniżej 3V i jego maksymalny prąd to coś w granicach 10A.<p>Statystyki: Napisane przez <a href="https://forum.atnel.pl/memberlist.php?mode=viewprofile&amp;u=1922">SylwekK</a> — 9 wrz 2014, o 09:10</p><hr />
]]></content>
</entry>
<entry>
<author><name><![CDATA[Anonymous]]></name></author>
<updated>2014-09-09T08:04:59+01:00</updated>
<published>2014-09-09T08:04:59+01:00</published>
<id>https://forum.atnel.pl/viewtopic.php?t=8452&amp;p=94771#p94771</id>
<link href="https://forum.atnel.pl/viewtopic.php?t=8452&amp;p=94771#p94771"/>
<title type="html"><![CDATA[Re: totem pole - sterowanie MOSFETa poprzez PWM]]></title>

<content type="html" xml:base="https://forum.atnel.pl/viewtopic.php?t=8452&amp;p=94771#p94771"><![CDATA[
Wystarczy zerknąć do noty tranzystora mosfet na charakterystykę przejścia. Szczególnie zależność rezystancji wewnętrznej przy danym napięciu Ugs.<p>Statystyki: Napisane przez Gość — 9 wrz 2014, o 08:04</p><hr />
]]></content>
</entry>
<entry>
<author><name><![CDATA[Nondzu]]></name></author>
<updated>2014-09-08T20:02:08+01:00</updated>
<published>2014-09-08T20:02:08+01:00</published>
<id>https://forum.atnel.pl/viewtopic.php?t=8452&amp;p=94728#p94728</id>
<link href="https://forum.atnel.pl/viewtopic.php?t=8452&amp;p=94728#p94728"/>
<title type="html"><![CDATA[Re: totem pole - sterowanie MOSFETa poprzez PWM]]></title>

<content type="html" xml:base="https://forum.atnel.pl/viewtopic.php?t=8452&amp;p=94728#p94728"><![CDATA[
do wysterowania mosfetów najlepszy jest dedykowany sterownik (układ scalony) który zapewnia odpowiednio małe czasy załączania i wyłączania tranzystorów mosfet jak i IGBT. jednak 3V będzie prawdopodobnie zbyt niskim napięciem zasilania sterownika. zapoznaj się z układem np. TC428CPA (Wejście kompatybilne z TTL/CMOS) które sam wykorzystywałem. Tylko zasilanie sterownika musiałby być większe niż te 3V (Napięcie operacyjne TC428CPA  to 4.5V do 18V). A jeśli wprowadzam w błąd to przepraszam, jest tu dużo osób bardziej obeznanych w temacie ode mnie <br />Pozdrawiam <img src="https://forum.atnel.pl/images/smilies/icon_e_smile.gif" alt=":)" title="Szczęśliwy" /><p>Statystyki: Napisane przez <a href="https://forum.atnel.pl/memberlist.php?mode=viewprofile&amp;u=1672">Nondzu</a> — 8 wrz 2014, o 20:02</p><hr />
]]></content>
</entry>
<entry>
<author><name><![CDATA[rcc]]></name></author>
<updated>2014-09-08T19:10:55+01:00</updated>
<published>2014-09-08T19:10:55+01:00</published>
<id>https://forum.atnel.pl/viewtopic.php?t=8452&amp;p=94722#p94722</id>
<link href="https://forum.atnel.pl/viewtopic.php?t=8452&amp;p=94722#p94722"/>
<title type="html"><![CDATA[totem pole - sterowanie MOSFETa poprzez PWM]]></title>

<content type="html" xml:base="https://forum.atnel.pl/viewtopic.php?t=8452&amp;p=94722#p94722"><![CDATA[
witam<br />planuję zrobić sterowanie silnika szczotkowego poprzez tranzystor MOSFET. Ładowanie, rozładowanie bramki poprzez układ tranzystorów pnp i npn<br /><br />pomysł zaczerpnięty z: <a href="http://joost.damad.be/2012/09/dimming-12v-led-strip-with-mosfet-and.html"  class="postlink">http://joost.damad.be/2012/09/dimming-12v-led-strip-with-mosfet-and.html</a><br /><br /><a href="http://forum.atnel.pl/_obrazki/o/5470/73e6fe6d0583adb79834e76df4f1bdd4.jpg"  class="postlink"><img src="http://forum.atnel.pl/_obrazki/o/thumb/5470/73e6fe6d0583adb79834e76df4f1bdd4.jpg" alt="Obrazek" /></a><br /><br />napięcie wejściowe do bazy tranzystorów bipolarnych powyżej 7.2 - 7.2V na bramce MOSFET-a.<br /><br />jak napięcie wejściowe zmienię np na 5V, 5V  na bramce i tranzystor jest otwarty - sytuacja z artykułu.<br /><br />ja mogę podać napięcie PWM, gdzie stan 1 ma wartość 3V - prawie 3V na bramce i tranzystor zatkany.<br />chodzi o to, aby przy napięciu 3V na bazę tranzystorów bipolarnych tranzystor MOSFET był otwarty, przy sygnale 0V, bramka tranzystora MOSFET rozładowywała się<br /><br />jakieś podpowiedzie? czemu nie działa lub co poprawić?<br /><br />zależy mi na zrozumieniu tematu<p>Statystyki: Napisane przez <a href="https://forum.atnel.pl/memberlist.php?mode=viewprofile&amp;u=5470">rcc</a> — 8 wrz 2014, o 19:10</p><hr />
]]></content>
</entry>
</feed>